Anonim
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Die Wafer verwendeten Substrate, die im 200-mm-Epi-Werk von Exagan in Grenoble, Frankreich, hergestellt wurden.

Exagan wurde 2014 von CEA-Leti und Soitec gegründet, um die GaN-Technologie voranzutreiben.

X-Fab und Exagan arbeiten seit 2015 am GaN-on-Silicon-Projekt.

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Diese Epi-Wafer erfüllen die physikalischen und elektrischen Spezifikationen zur Herstellung der 650-Volt-G-FET-Geräte von Exagan.

Die Wafer wurden auf den CMOS-Produktionslinien von X-Fab hergestellt.

Durch die Ermöglichung einer stärkeren Leistungsintegration als bei Silizium-ICs können GaN-Bauelemente die Effizienz verbessern und die Kosten von elektrischen Wandlern senken, was ihre Anwendung in Anwendungen wie Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Servern, Kraftfahrzeugen und industriellen Systemen beschleunigen wird.

Die bisherige Arbeit der Industrie mit GaN war auf Wafer mit 100 mm und 150 mm beschränkt, da es schwierig war, GaN-Filme auf Siliziumsubstraten zu schichten.

Mit der G-Stack-Technologie von Exagan können GaN-auf-Silizium-Bauelemente kostengünstiger auf 200-mm-Substraten hergestellt werden, indem ein einzigartiger Stapel aus GaN- und Spannungsmanagementschichten aufgebracht wird, der die Spannungen zwischen GaN- und Siliziumschichten verringert.