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TDI stellt reine GaN-Wafer für verbesserte LEDs Richard Ball her
Der US-amerikanische Waferentwickler Technologies and Devices International (TDI) gibt an, über reine Galliumnitrid (GaN) -Wafer zu verfügen, die zu verbesserten grünen, blauen und ultravioletten LEDs führen könnten.
Derzeit werden Bauelemente auf epitaktischen Schichten aus GaN hergestellt, die auf Substraten aus Siliziumkarbid oder Saphir (Al 2 O 3) gewachsen sind. Ein reiner GaN-Wafer würde die Dicke der GaN-Schicht weit über die heute üblichen wenigen Mikrometer hinaus erhöhen.
Bulk-GaN anstelle von epitaktischem GaN erhöht die Leistung und Lebensdauer von Geräten, so das Unternehmen.
"Innerhalb eines Jahres könnte TDIs Bulk-GaN die Basis für kommerzielle Blauspektrum-Hochhelligkeits-Leuchtdioden und Blauspektrum-Halbleiterlaser der nächsten Generation sein", sagte Vladimir Dmitriev, CEO von TDI. Das Unternehmen sucht nach Partnern, die auf die Serienproduktion der Wafer umsteigen.
Eine externe Charakterisierung durch die Arizona State University ergab, dass die Wafer "eine ziemlich hohe Kristallqualität bei geringer Versetzungsdichte" aufweisen.