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Agilent Technologies hat sein Angebot an Silizium-HF-Verstärkern für ZF- und Pufferstufen in rauscharmen DBS-Block-Downconvertern, GSM / CDMA-Funkkarten und Mikrowellenverbindungen erweitert, die einen 3-V-Betrieb mit einer Versorgung bieten.

Die SOT-363-Gehäuse ABA-31563, ABA-32563 und ABA-54563 bieten Rauschwerte mit linearen Ausgangsleistungspegeln von + 2, 2 dBm bis + 16, 1 dBm und Schnittpunkten dritter Ordnung von + 13, 1 dBm bis + 27, 8 dBm.

Wie die vorherigen Geräte bieten die Verstärker eine bedingungslose Stabilität in Kombination mit VSWRs für Ein- und Ausgänge von weniger als 1, 5 und einer internen Anpassung von 50 Ohm für Ein- und Ausgänge.

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Der 3V ABA-31563 bietet einen Betriebsfrequenzbereich von DC bis 3, 5 GHz. Bei 2 GHz bietet es eine Kleinsignalverstärkung von 21, 5 dB, eine lineare Ausgangsleistung (P1dB) von + 2, 2 dBm, einen 13, 1 dBm-Ausgangspunkt dritter Ordnung (OIP3) und eine Rauschzahl von 3, 8 dB.

Der 3V ABA-32563 ist für den Betrieb von DC bis 2, 5 GHz spezifiziert. Bei 2 GHz bietet es eine Verstärkung von 19 dB, + 8, 4 dBm P1dB, + 19, 5 dBm OIP3 und 3, 5 dB NF.

Der 5V ABA-54563 ist für den Betrieb von DC bis 3GHz spezifiziert. Bei 2 GHz bietet es eine Verstärkung von 23, 1 dB, +16, 1 dBm P1dB, +27, 8 dBm OIP3 und 4, 4 dB NF.

Die Verstärker werden im HP-25-Silizium-Bipolar-Verfahren mit 25 GHz fT und 30 GHz fmax hergestellt. Diese Technologie verwendet ein doppelt diffundiertes Single-Polysilicium-Verfahren mit selbstjustierter Submikrometer-Emittergeometrie und ist in der Lage, gleichzeitig einen Durchbruch mit hoher fT und hohem NPN (25 GHz fT bei 6 V BVceo) zu erzielen.

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