Anonim

Am bemerkenswertesten sind vielleicht die beiden von Samsung und Toshiba / Sandisk beschriebenen 8-Gbit-Flash-Geräte, die über die DRAM-Dichte hinaus blitzen.

Der Toshiba / Sandisk-Einzelchip integriert zwei mehrstufige Zellen-Arrays, die jeweils als separater 4-Gbit-Speicher betrieben werden können.

Jede Zelle, die zwei Bits als vier Spannungspegel speichert, misst 0, 024µm².

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Bei einem 70-nm-Prozess würde der Chip 153 mm² belegen. Durch Überarbeiten der Steuerung und der E / A-Kontaktstellen an der Unterseite des Chips sowie durch andere periphere Änderungen wird der Chipbereich jedoch auf 145, 5 mm² reduziert.

Samsung verwendet einen 63-nm-Prozess für seinen 8-Gbit-Zwei-Bit-Flash pro Zelle, der eine 0, 02-Mikrometer-Zelle und einen 133-mm²-Chip ergibt.

In der Zwischenzeit hat Samsung PMOS- und NMOS-Transistoren gestapelt, um einen 256-Mbit-SRAM zu erstellen. Bei 80nm verbraucht der Speicher 61mm² und die Zellenfläche wird auf 0, 16µm² (25F²) mehr als halbiert.

Die Schlüsseltechnologien sind gestapelte Einkristall-Silizium-Dünnschichttransistoren (SSTFT) und eine hierarchische Bitleitung.