Anonim

"Bei einer Größe von 14 nm und weniger wird erwartet, dass verspannte Siliziumkanäle in FinFETs keine ausreichende Leistung bieten", so das IEEE. "Eine Allround-Architektur mit Germanium-Gate [GAA] ist ein vielversprechender Ansatz, da Ge-p-FETs eine bessere Leistung bieten als ihre Silizium-Gegenstücke."

Die Integration von Germanium in Silizium oder Silizium-auf-Isolator-Substrate ist jedoch schwierig.

Atomgitterfehlanpassung zwischen den Materialien verursacht leistungsmindernde Defekte und Versetzungen an der Grenzfläche.

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"Durch geschickte Anwendung anisotroper Ätzverarbeitungstechniken stellten die Forscher dreieckige GAA-Germanium-FinFETs her, die eine höhere Leistung aufweisen als andere Ge-FETs", so das IEEE.

In dieser Proof-of-Concept-Demonstration waren die Flossen 52 nm breit und 183 nm lang.

Die Bauelemente hatten ein Ein / Aus-Stromverhältnis von 10 5, eine Neigung unterhalb des Schwellenwerts von 130 mV / Dekade und einen Ansteuerstrom von 235 uA / um.

Verbesserungen seien möglich, sagten die Forscher mit weiterer Skalierung, verbesserter effektiver Oxiddicke und Grenzflächenzustandsdichte.

Die Fotos sind Querschnitte der dreieckigen Rippe und der Rippenbildung durch anisotropes Trockenätzen. Die Abmessung 'd' nimmt mit zunehmendem Seitenätzen ab. itemid-54795-getasset